- 產(chǎn)品型號:VS-GB150TH120N
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:雙
- 功能類別:IGBT模塊
- 功能描述:IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
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Vishay威世半導體原廠型號:VS-GB150TH120N
制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division
描述:IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK
系列:-
IGBT 類型:-
配置:半橋
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):300A
功率 - 最大值:1008W
不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.35V @ 15V,150A
電流 - 集電極截止(最大值):5mA
不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):11nF @ 25V
輸入:標準
NTC 熱敏電阻:無
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:雙 INT-A-PAK(3 + 4)
供應商器件封裝:雙 INT-A-PAK