- 產(chǎn)品型號(hào):SUM110N06-3M4L-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-263
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SUM110N06-3M4L-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):110A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):300nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):12900pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2Pak)