- 產(chǎn)品型號(hào):SIHU7N60E-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:I-Pak
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SIHU7N60E-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):680pF @ 100V
功率 - 最大值:78W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應(yīng)商器件封裝:I-Pak