- 產(chǎn)品型號(hào):SIHP24N65E-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:TO-220AB
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SIHP24N65E-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):24A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):145 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):122nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):2740pF @ 100V
功率 - 最大值:250W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB