- 產品型號:SIA411DJ-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:PowerPAK
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
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Vishay威世半導體原廠型號:SIA411DJ-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):30 毫歐 @ 5.9A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):38nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1200pF @ 10V
功率 - 最大值:19W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK SC-70-6
供應商器件封裝:PowerPAK SC-70-6 單