- 產(chǎn)品型號(hào):SI7464DP-T1-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerPAK
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI7464DP-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
系列:TrenchFET
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):240 毫歐 @ 2.8A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.8W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK SO-8
供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8