- 產(chǎn)品型號:SI7102DN-T1-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:PowerPAK
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
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Vishay威世半導體原廠型號:SI7102DN-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):35A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 15A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):110nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3720pF @ 6V
功率 - 最大值:52W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK 1212-8
供應商器件封裝:PowerPAK 1212-8