- 產品型號:SI6562CDQ-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:8-TSSOP
- 功能類別:場效應管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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Vishay威世半導體原廠型號:SI6562CDQ-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
系列:TrenchFET
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6.7A,6.1A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):22 毫歐 @ 5.7A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):850pF @ 10V
功率 - 最大值:1.6W,1.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商器件封裝:8-TSSOP