- 產(chǎn)品型號(hào):SI5519DU-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerPAK
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI5519DU-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
系列:TrenchFET
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):36 毫歐 @ 6.1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):17.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):660pF @ 10V
功率 - 最大值:10.4W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK CHIPFET 雙
供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK ChipFet 雙