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SI5509DC-T1-E3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI5509DC-T1-E3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

系列:TrenchFET

FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6.1A,4.8A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):52 毫歐 @ 5A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):6.6nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):455pF @ 10V

功率 - 最大值:4.5W

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應(yīng)商器件封裝:1206-8 ChipFET


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