- 產(chǎn)品型號:SI4834BDY-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI4834BDY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5.7A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):22 毫歐 @ 7.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO