- 產品型號:SI4172DY-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
深圳市諾森半導電子有限公司提供SI4172DY-T1-GE3報價、現貨供應、技術資料下載獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格,那就馬上與我們聯系吧!
SI4172DY-T1-GE3 >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供Vishay公司SI4172DY-T1-GE3報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯系吧!
采購SI4172DY-T1-GE3?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產品試產到大批量生產,我們將提供性價比最高的現貨供應服務!
Vishay威世半導體原廠型號:SI4172DY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):15A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):820pF @ 15V
功率 - 最大值:4.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SO