- 產品型號:SI4101DY-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
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Vishay威世半導體原廠型號:SI4101DY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):25.7A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):203nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8190pF @ 15V
功率 - 最大值:6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SO