- 產(chǎn)品型號:SI3812DV-T1-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:6-TSOP
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI3812DV-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
系列:LITTLE FOOT
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:二極管(隔離式)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA(最小)
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP