- 產(chǎn)品型號:SI3585DV-T1-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:6-TSOP
- 功能類別:場效應管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
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Vishay威世半導體原廠型號:SI3585DV-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
系列:TrenchFET
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2A,1.5A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA(最?。?/p>
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商器件封裝:6-TSOP