- 產(chǎn)品型號:SI3475DV-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:6-TSOP
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP
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Vishay威世半導體原廠型號:SI3475DV-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):950mA(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.61 歐姆 @ 900mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):500pF @ 50V
功率 - 最大值:3.2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商器件封裝:6-TSOP