- 產(chǎn)品型號:SI1011X-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:SC-89-3
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 12V SC-89
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供SI1011X-T1-GE3報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
SI1011X-T1-GE3 >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI1011X-T1-GE3報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購SI1011X-T1-GE3?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI1011X-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 12V SC-89
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準
漏源極電壓 (Vdss):12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):640 毫歐 @ 400mA, 4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):62pF @ 6V
功率 - 最大值:190mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-89,SOT-490
供應(yīng)商器件封裝:SC-89-3