- 產品型號:IRFD213
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠封裝:4-DIP
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
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Vishay威世半導體原廠型號:IRFD213
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):250V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):450mA(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2 歐姆 @ 270mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):8.2nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):140pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
供應商器件封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP