- 產(chǎn)品型號:IRFBE30LPBF
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:I2PAK
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:IRFBE30LPBF
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):800V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.1A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):78nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:125W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝:I2PAK