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IRFBE30LPBF
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:IRFBE30LPBF

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):800V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.1A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 2.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):78nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1300pF @ 25V

功率 - 最大值:125W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝:I2PAK


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