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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): TPN4R712MD,L1Q

制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 36A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 4.7 毫歐 @ 18A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 65nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 4300pF @ 10V

功率 - 最大值: 42W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝: 8-TSON高級(jí)