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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TPC8A04-H(TE12L,Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH SBD 18A SOP8 2-6J1B

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：18A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.6 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：56nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）