- 產(chǎn)品型號:TK7Q60W,S1VQ
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:I-Pak
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TK7Q60W,S1VQ
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 350μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):490pF @ 300V
功率 - 最大值:60W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak
供應(yīng)商器件封裝:I-Pak