- 產(chǎn)品型號:TK3A65DA(STA4,QM)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:TO-220SIS
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TK3A65DA(STA4,QM)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.51 歐姆 @ 1.3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):490pF @ 25V
功率 - 最大值:35W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS