- 產品型號:TK35E08N1,S1X
- 制 造 商:東芝半導體(Toshiba)
- 出廠封裝:TO-220-3
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
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東芝半導體公司完整型號:TK35E08N1,S1X
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):80V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):55A(Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.2 毫歐 @ 17.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 300μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1700pF @ 40V
功率 - 最大值:72W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商器件封裝:TO-220-3