- 產(chǎn)品型號:TK12V60W,LVQ
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:5-DFN
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
TK12V60W,LVQ >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司TK12V60W,LVQ報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購TK12V60W,LVQ?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TK12V60W,LVQ
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:超級結(jié)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):11.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 5.8A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 600μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):890pF @ 300V
功率 - 最大值:104W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-VSFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN (8x8)