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TK12P60W,RVQ
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TK12P60W,RVQ

制造廠家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

系列:-

FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:超級(jí)結(jié)

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):11.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):340 毫歐 @ 5.8A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 600μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):890pF @ 300V

功率 - 最大值:100W

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:DPAK


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