- 產(chǎn)品型號(hào):TK10E60W,S1VX
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:TO-220
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TK10E60W,S1VX
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:超級(jí)結(jié)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):9.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):380 毫歐 @ 4.9A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 500μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):700pF @ 300V
功率 - 最大值:100W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-220