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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TK100L60W,VQ

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：超級結(jié)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：100A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：360nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15000pF @ 30V

功率 - 最大值：797W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3PL

供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（L）