- 產(chǎn)品型號(hào):TC58BYG0S3HBAI6
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠(chǎng)封裝:67-VFBGA
- 功能類(lèi)別:存儲(chǔ)器
- 功能描述:EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
TC58BYG0S3HBAI6 >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司TC58BYG0S3HBAI6報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)TC58BYG0S3HBAI6?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): TC58BYG0S3HBAI6
制造廠(chǎng)家名稱(chēng): Toshiba Semiconductor and Storage
功能總體簡(jiǎn)述: EEPROM SLC 1GB NAND 24NM 67VFBGA
系列: Benand
格式 - 存儲(chǔ)器: EEPROMs - 串行
存儲(chǔ)器類(lèi)型: EEPROM - NAND
存儲(chǔ)容量: 1G(128M x 8)
速度: 25ns
接口: 并聯(lián)
電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 67-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝: 67-VFBGA(6.5x8)