- 產(chǎn)品型號:SSM6N58NU,LF
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:6-UDFN
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:SSM6N58NU,LF
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
系列:-
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):84毫歐 @ 2A, 4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):129pF @ 15V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:6-UDFN (2x2)