- 產(chǎn)品型號(hào):SSM6N15AFE,LM
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:ES6
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):SSM6N15AFE,LM
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
系列:-
FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100mA
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4 歐姆 @ 10mA,4V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7.8pF @ 3V
功率 - 最大值:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商器件封裝:ES6(1.6x1.6)