- 產品型號:SSM6L35FE(TE85L,F)
- 制 造 商:東芝半導體(Toshiba)
- 出廠封裝:ES6
- 功能類別:場效應管陣列
- 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
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東芝半導體公司完整型號:SSM6L35FE(TE85L,F)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
系列:-
FET 類型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):180mA,100mA
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3 歐姆 @ 50mA,4V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9.5pF @ 3V
功率 - 最大值:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
供應商器件封裝:ES6(1.6x1.6)