- 產(chǎn)品型號(hào):SSM6K211FE,LF
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:SOT-563
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
SSM6K211FE,LF >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司SSM6K211FE,LF報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)SSM6K211FE,LF?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): SSM6K211FE,LF
制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 3.2A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 47 毫歐 @ 2A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 10.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 510pF @ 10V
功率 - 最大值: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商器件封裝: ES6(1.6x1.6)