- 產(chǎn)品型號:SSM3K15ACT,L3F
- 制 造 商:東芝半導體(Toshiba)
- 出廠封裝:SC-101
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
深圳市諾森半導電子有限公司提供SSM3K15ACT,L3F報價、現(xiàn)貨供應、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
SSM3K15ACT,L3F >>> 東芝半導體芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供東芝半導體公司SSM3K15ACT,L3F報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購SSM3K15ACT,L3F?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務!
東芝半導體公司完整型號: SSM3K15ACT,L3F
制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
系列: -
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 100mA(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 3.6 歐姆 @ 10mA,4V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): -
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 13.5pF @ 3V
功率 - 最大值: 100mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-101,SOT-883
供應商器件封裝: CST3