- 產(chǎn)品型號(hào):SSM3J56MFV,L3F(T
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:VESM
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):SSM3J56MFV,L3F(T
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
系列:-
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平柵極,1.2V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):800mA(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):390毫歐 @ 800mA, 4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):100pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-723
供應(yīng)商器件封裝:VESM