- 產(chǎn)品型號(hào):RN1117MFV(TPL3)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:VESM
- 功能類別:單路﹐預(yù)偏壓式晶體管
- 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
RN1117MFV(TPL3) >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司RN1117MFV(TPL3)報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)RN1117MFV(TPL3)?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):RN1117MFV(TPL3)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
系列:-
晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):4.7k
不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA
電流 - 集電極截止(最大值):500nA
頻率 - 躍遷:250MHz
功率 - 最大值:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-723
供應(yīng)商器件封裝:VESM