- 產(chǎn)品型號(hào):RN1110MFV(TL3,T)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:VESM
- 功能類(lèi)別:單路﹐預(yù)偏壓式晶體管
- 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):RN1110MFV(TL3,T)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
系列:-
晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
電阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):-
不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
頻率 - 躍遷:-
功率 - 最大值:150mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-723
供應(yīng)商器件封裝:VESM