- 產(chǎn)品型號(hào):HN3C10FUTE85LF
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:US6
- 功能類別:RF晶體管
- 功能描述:TRANSISTOR NPN US6
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):HN3C10FUTE85LF
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:TRANSISTOR NPN US6
系列:-
晶體管類型:2 NPN(雙)
電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V
頻率 - 躍遷:7GHz
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.1dB @ 1GHz
增益:11.5dB
功率 - 最大值:200mW
不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商器件封裝:US6