- 產(chǎn)品型號(hào):GT60N321(Q)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠(chǎng)封裝:TO-3P
- 功能類(lèi)別:單路IGBT
- 功能描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):GT60N321(Q)
制造廠(chǎng)家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage
描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
系列:-
IGBT 類(lèi)型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1000V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A
Current - Collector Pulsed (Icm):120A
不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.8V @ 15V,60A
功率 - 最大值:170W
Switching Energy:-
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge:-
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:330ns/700ns
Test Condition:-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):2.5μs
封裝/外殼:TO-3PL
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(LH)