- 產(chǎn)品型號:GT30J121(Q)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:TO-3P
- 功能類別:單路IGBT
- 功能描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:GT30J121(Q)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
系列:-
IGBT 類型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):30A
Current - Collector Pulsed (Icm):60A
不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.45V @ 15V,30A
功率 - 最大值:170W
Switching Energy:1mJ (開), 800μJ (關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge:-
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:90ns/300ns
Test Condition:300V, 30A, 24 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(N)