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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：GT10G131(TE12L,Q)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：IGBT 400V 1W 8-SOIC

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：400V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-

Current - Collector Pulsed (Icm)：200A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.3V @ 4V， 200A

功率 - 最大值：1W

Switching Energy：-

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

Gate Charge：-

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：3.1μs/2μs

Test Condition：-

反向恢復(fù)時間 (trr)：-

封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）

安裝類型：表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）