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2SJ360(TE12L,F)
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:2SJ360(TE12L,F)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):730 毫歐 @ 500mA,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):6.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):155pF @ 10V

功率 - 最大值:500mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-243AA

供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI


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