- 產(chǎn)品型號:TPS1120DG4
- 制 造 商:TI(德州儀器)
- 出廠封裝:8-SOIC
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
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TI德州儀器公司完整型號:TPS1120DG4
制造廠家名稱:Texas Instruments
描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
系列:-
FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):15V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.17A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):5.45nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:840mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC