- 產(chǎn)品型號:CSD87350Q5D
- 制 造 商:TI(德州儀器)
- 出廠封裝:8-LSON
- 功能類別:場效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
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TI德州儀器公司完整型號:CSD87350Q5D
制造廠家名稱:Texas Instruments
描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
系列:NexFET?
FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):40A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 20A,8V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1770pF @ 15V
功率 - 最大值:12W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-LDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:8-LSON (5x6)