- 產(chǎn)品型號(hào):CSD23201W10
- 制 造 商:TI(德州儀器)
- 出廠封裝:4-DSBGA
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
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TI德州儀器公司完整型號(hào):CSD23201W10
制造廠家名稱:Texas Instruments
描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
系列:NexFET?
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.2A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):82 毫歐 @ 500mA,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):325pF @ 6V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-UFBGA,DSBGA
供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA(1x1)