- 產(chǎn)品型號(hào):CSD19536KTTT
- 制 造 商:TI(德州儀器)
- 出廠封裝:TO-263-4,D2Pak
- 功能類別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 100V 200A TO263
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TI德州儀器公司完整型號(hào): CSD19536KTTT
制造廠家名稱: Texas Instruments
功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 200A TO263
系列: NexFET?
FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 200A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 2.4 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 3.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 153nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 12000pF @ 50V
功率 - 最大值: 375W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-4,D2Pak(3 引線+接片),TO-263AA
供應(yīng)商器件封裝: DDPAK/TO-263-3