- 產(chǎn)品型號(hào):CSD16323Q3
- 制 造 商:TI(德州儀器)
- 出廠封裝:8-SON
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
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TI德州儀器公司完整型號(hào):CSD16323Q3
制造廠家名稱:Texas Instruments
描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
系列:NexFET?
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):25V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):21A(Ta),60A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 24A,8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1300pF @ 12.5V
功率 - 最大值:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝:8-SON