- 產品型號:M474A1G43EB1-CPB
- 制 造 商:三星半導體(Samsung)
- 出廠封裝:8GB
- 功能類別:模塊
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
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三星模塊型號:M474A1G43EB1-CPB
制造商:SAMSUNG(三星半導體)
功能類別:模塊
DDR:四代雙倍數據率同步動態(tài)隨機存儲器
DIMM 類型:ECC SODIMM
容量:8GB
內存區(qū)塊組織:2R x 8
速率:2133 Mbps
工作電壓:1.2 V
組件成分:(512M x 8) x 18