- 產(chǎn)品型號:KMQE60013M-B318
- 制 造 商:三星半導(dǎo)體(Samsung)
- 出廠封裝:221FBGA
- 功能類別:多制層封裝芯片
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型號:KMQE60013M-B318
制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
功能類別:多制層封裝芯片
eStorage 密度:16 GB
eStorage 版本:嵌入式多媒體卡 5.1
DRAM 密度:16 Gb
DRAM 類型:三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器
封裝:221FBGA
速率:1866 Mbps
產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)