- 產(chǎn)品型號:KLUEG8U1EM-B0C1
- 制 造 商:三星半導(dǎo)體(Samsung)
- 出廠封裝:11.5 x 13 x 1.0 mm
- 功能類別:嵌入式存儲器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供KLUEG8U1EM-B0C1報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、技術(shù)資料下載獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格,那就馬上與我們聯(lián)系吧!
KLUEG8U1EM-B0C1 >>> 三星半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供三星半導(dǎo)體公司KLUEG8U1EM-B0C1報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購KLUEG8U1EM-B0C1?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
三星芯片型號:KLUEG8U1EM-B0C1
制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
功能類別:嵌入式存儲器
版本:UFS 2.1
容量:256GB
工作電壓:1.8/3.3 V
接口:G3 2Lane
封裝尺寸:11.5 x 13 x 1.0 mm
工作溫度:-25 ~ 85 °C
產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)